mbr20150參數(shù)代換,20A 150V場(chǎng)效應(yīng)管,KIA7115A中文資料-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-08-08
KIA7115A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V,漏極電流20A,RDS(開啟)=77mΩ@VGS=10V,超低柵極電荷,降低開關(guān)損耗,可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDS和柵極電荷,出色的Cdv/dt效應(yīng)下降、綠色設(shè)備可用,符合RoHs,100%EAS保證,穩(wěn)定可靠,封裝形式:TO-252、251,散熱良好。
漏源電壓:150V
漏極電流:20A
漏源通態(tài)電阻:77mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:40A
雪崩能量單脈沖:53MJ
功率耗散:72.6W
總柵極電荷:25.1nC
輸入電容:2285PF
輸出電容:110PF
開通延遲時(shí)間:13nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:25nS
上升時(shí)間:8.2ns
下降時(shí)間:11ns
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950(微信同號(hào))
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國(guó)際商務(wù)大廈2109
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明:本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系刪除。