儲(chǔ)能電源,充電樁mos管3308,KNB3308A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-31
KNB3308A場(chǎng)效應(yīng)管是一款漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A的出色器件，RDS（ON）值為6.2mΩ（在VGS=10V時(shí)為典型值），優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻特性能夠降低導(dǎo)通損耗，還具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行，確保電路的安全可靠性。采用了無鉛和綠色設(shè)計(jì)，符合環(huán)保要求，為電子產(chǎn)品的制造提供了可持續(xù)發(fā)展的解決方案。
KNB3308A適用于儲(chǔ)能電源、充電樁和DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)合，低Rds開態(tài)特性可以最大限度地降低導(dǎo)通電阻，有效減少能量損耗，提高系統(tǒng)的效率和性能表現(xiàn)，適用于多種領(lǐng)域的電子設(shè)備設(shè)計(jì)。KNB3308A場(chǎng)效應(yīng)管封裝形式：TO-263。
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：6.2mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
總功耗：240W
總柵極電荷：76nC
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
開通延遲時(shí)間：20.4nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：63nS
上升時(shí)間：67ns
下降時(shí)間：43ns
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