3106場效應管參數(shù),引腳圖中文資料,3106MOS管現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-05-28
KNX3106N場效應管具有漏源擊穿電壓高達60V和漏極電流可達110A的強大特性,RDS(ON)在VGS為10V時表現(xiàn)出色,僅為7mΩ(典型值),表現(xiàn)出卓越的導通能力;采用了專有新型平面技術,能夠實現(xiàn)快速切換,提高系統(tǒng)效率、經過100%雪崩測試,保證了器件的穩(wěn)定性和可靠性、還具有改進的dv/dt能力,能夠更好地適應各種工作環(huán)境。
KNX3106N場效應管具有出色的電氣性能,適用于開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)以及功率因數(shù)校正(PFC)等領域的應用,能夠提供卓越的性能表現(xiàn),為各種應用提供可靠的支持。封裝形式:TO-220。
漏源電壓:60V
漏極電流:110A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on)):7mΩ
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:440A
雪崩能量單脈沖:653MJ
總功耗:108W
總柵極電荷:110nC
輸入電容:2600PF
輸出電容:1000PF
開通延遲時間:50nS
關斷延遲時間:345nS
上升時間:140ns
下降時間:210ns
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950(微信同號)
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明:本網站部分文章或圖片來源其它出處,如有侵權,請聯(lián)系刪除。