4706參數(shù),4706場(chǎng)效應(yīng)管,SOP-8引腳參數(shù)規(guī)格資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-15
KIA4706A是高單元密度溝槽N溝道MOSFET，為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供了出色的RDSON和柵極電荷。KIA4706A滿足RoHs和綠色產(chǎn)品的要求。
KIA4706A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，性能出色，漏源擊穿電壓60V，漏極電流8A，具有RDS（開）僅為10mΩ（在VGS=10V時(shí)的典型值），在應(yīng)用中表現(xiàn)出超低的電阻，還具有超低的柵極電荷，在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，綠色環(huán)保設(shè)備具有更低的能耗和減少對(duì)環(huán)境的影響，在Cdv/dt效應(yīng)下降方面，能夠穩(wěn)定輸出信號(hào)，保證電路的穩(wěn)定性。4706A場(chǎng)效應(yīng)管是一款性能卓越、適用范圍廣泛的元件，能夠滿足不同領(lǐng)域的需求。
漏源電壓：60V
漏極電流：8A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：10mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：32A
雪崩能量單脈沖：72MJ
總功耗：1.5W
總柵極電荷：30nC
輸入電容：3240PF
輸出電容：210PF
開通延遲時(shí)間：10.6nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：65.6nS
上升時(shí)間：9ns
下降時(shí)間：4.8ns
KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
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