40n06場效應(yīng)管參數(shù),40n06參數(shù),KIA40N06中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-26
KIA40N06B是性能最高的溝槽N溝道MOSFET，具有極高的單元密度，可為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSO和柵極電荷。KIA40N06B符合RoHS和GreeProduct的要求，100%EAS保證，并通過了全功能可靠性認(rèn)證。
KIA40N06B場效應(yīng)管采用先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù)，具備出色的性能，漏源擊穿電壓60V，漏極電流38A，在VDS為60V時(shí)，RDS（開啟）僅為14m?，表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通能力、超低的柵極電荷，在Cdv/dt效應(yīng)下降方面表現(xiàn)出色、100%的EAS保證，在各種工作條件下都能穩(wěn)定可靠、GreeDevice技術(shù)的引入，進(jìn)一步提升了性能，適用于各類應(yīng)用場景。
KIA40N06B場效應(yīng)管適用于MB/NB/UMPC/VGA高頻點(diǎn)負(fù)載同步降壓變換器以及聯(lián)網(wǎng)DC-DC電源系統(tǒng)、LCD/LED背光等設(shè)備，為電子產(chǎn)品提供可靠穩(wěn)定的電力支持，40n06場效應(yīng)管高效的能量轉(zhuǎn)換能力，能夠發(fā)揮出良好的性能，為產(chǎn)品的性能提升和穩(wěn)定性提供了強(qiáng)大的支持。KIA40N06B場效應(yīng)管封裝形式：TO-251、TO-252。
漏源電壓：60V
漏極電流：38A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：14mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：80A
雪崩能量單脈沖：67MJ
總功耗：45W
輸入電容：2423PF
輸出電容：145PF
總柵極電荷：17.6nC
開通延遲時(shí)間：15.5nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：72.8nS
上升時(shí)間：2.2ns
下降時(shí)間：3.8ns
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