元器件為什么會出現(xiàn)失效模式,這里有三種原因要告訴大家
信息來源:本站 日期:2017-09-08
表14.2列出三種失效形式:
①開路失效.
②漏電流/短路失效.
③特性劣化失效在器件制造中產(chǎn)生緣由.
實(shí)踐上要用電學(xué)實(shí)驗(yàn)的方法將器件的失效形式別離開是艱難的.
即便①和②可以別離,①與③,②與③通常是同時(shí)發(fā)生的.
外來因素引起的失效
器件置于超越額定值*規(guī)定的運(yùn)用環(huán)境時(shí),會招致劣化、損傷。外來要素能夠羅列如下:
(1)組裝到基板上時(shí):用戶的檢查環(huán)境、保管環(huán)境、靜電(ESD:electrostatic dis-charge)、基板裝置時(shí)器件的固定、裝置溫度、清潔劑成分等。
(2)裝置完成后所加的電壓?電流:ESD,插件板實(shí)驗(yàn),電源動搖,噪聲,信號的反射?耦合,電容成分的充放電,左近電感成分惹起的電動勢等。
外來因素惹起CMOS器件的失效,主要是由過電壓或過電流(浪涌電壓?電流)惹起的。典型的現(xiàn)象是ESD(Electro Static Discharge,靜電放電))和Latch-up(閂鎖)。
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