PMOS晶體管

1．NMOS+PMOS-構(gòu)成CMOS

圖1. 18所示的PMOS晶體管是在n型基底上構(gòu)成p+型的源區(qū)和漏區(qū)。假如采用p型硅襯底，如圖1.19所示，在p型襯底上先作成n型基底，把這個(gè)n型區(qū)域稱(chēng)為n阱( well)。

mos管

圖1. 20(a)是在p型硅襯底上構(gòu)成的CMOS剖面表示圖。以n阱為基底作成PMOS晶體管，以p型硅襯底為基底作成NMOS晶體管。

通常n阱中需介入n+區(qū)與正電源電壓VDD銜接，也有可能取獨(dú)立的電位。例如，p型硅襯底上構(gòu)成多個(gè)n阱時(shí)，也能夠其中某一個(gè)n阱與VDD銜接，而其他n阱與源極取等電位。但是p型硅襯底必需與負(fù)電源電壓銜接。就是說(shuō)PMOS晶體管的基底可取的電位與NMOS晶體管相比，自在度要大。

mos管

假如運(yùn)用n型硅襯底，如圖1. 20(b)所示，先在n型硅襯底上構(gòu)成p阱，作成以p阱為基底的NMOS晶體管。PMOS晶體管的基底是n型硅襯底。

普通來(lái)說(shuō)，運(yùn)用p型硅襯底的狀況比擬多，所以這里主要對(duì)運(yùn)用p型硅襯底的狀況停止討論。

2. PMOS晶體管漏極電流的表達(dá)式

PMOS晶體管中，如圖1．21所示，以源極為基準(zhǔn)電位給柵極加負(fù)的電壓，在柵氧化膜下方感應(yīng)出空穴，構(gòu)成p型反型層（p溝），使電流流過(guò)。所以PMOS晶體管的閾值電壓VTP是負(fù)值。電流從源極流向漏極時(shí)，漏極電流ID取正值，源極—柵極間電壓V SG和源極—漏極間電壓VSD取圖1，22所示的極性時(shí)，PMOS晶體管的漏極電流ID由下式給出：