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5N60場效應(yīng)管參數(shù)代換 5N60引腳圖 5N60E參數(shù)4.5A600V-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-08-05 

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5N60場效應(yīng)管參數(shù)代換 5N60引腳圖 5N60E參數(shù)4.5A600V-KIA MOS管


這些N溝道增強(qiáng)模式的功率場效應(yīng)晶體管是用KIA半導(dǎo)體制造的專有、平面、DMOS技術(shù)。這項先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過了特別的調(diào)整,以使其最小化通態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和換向模式。這些器件非常適合于高效率的開關(guān)模式電源供應(yīng)和電子燈鎮(zhèn)流器的基礎(chǔ)上的半橋。


5N60 4.5A600V場效應(yīng)管-特征

4.5A,600V,RDS(ON)= 2Ω@ VGS = 10v

低反饋電容(典型值8.0pf)

低柵極電荷(典型值高= 16nc)

快速切換

100%雪崩測試

改進(jìn)的dt/dt能力

符合RoHS


5N60 4.5A600V場效應(yīng)管參數(shù)

產(chǎn)品編號:KIA 5N60

系列名稱:MOSFET

溝道:N溝道

耗散功率(pd):100

漏源反向電壓(Vds):600

柵源反向電壓(Vgs):30

漏極電流(連續(xù))(id):5

最高結(jié)溫(Tj),℃:150

上升時間(tr):42

輸出電容(Cd),PF:55

通態(tài)電阻(Rds),ohm:1.8

封裝形式:TO-220、TO-220F等


5N60E 4.5A600V封裝圖

N60 場效應(yīng)管 參數(shù)4.5A600V


5N60場效應(yīng)管規(guī)格書資料

N60 場效應(yīng)管 參數(shù)4.5A600V


5N60 場效應(yīng)管 參數(shù)4.5A600V


KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。



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