mos管工作電路
工作頻率和驅(qū)動(dòng)信號(hào)的占空比不是很大,并且VMOS的功率規(guī)格也不是很大時(shí),普通并不需求為VMOS配置特地的驅(qū)動(dòng)電路。通用的CMOS半導(dǎo)體(互補(bǔ)金屬氧化物品體管邏輯IC)、TTL(晶體管邏輯)集成電路、常見(jiàn)的PWM專(zhuān)用IC的輸出級(jí)都能夠直接驅(qū)動(dòng)VMOS。這種驅(qū)動(dòng)方式普通適用于驅(qū)動(dòng)信號(hào)的產(chǎn)生及控制電路與VMOS構(gòu)成的功率級(jí)電路共地的狀況。
TTL集成電路的邏輯電平為5V,輸出級(jí)通常由BJT(雙極性晶體管)組成,信號(hào)普通從集電極輸出,這就是常說(shuō)的“集電極開(kāi)路輸出”,當(dāng)然,輸出級(jí)也有采用MOSFET的,這就是“開(kāi)漏輸出”。上述開(kāi)路輸出方式需求外部電路配置偏置電阻,以樹(shù)立工作點(diǎn),限定輸出電流(圖5.71)。
通用IC的峰值電流驅(qū)動(dòng)才能通常都不會(huì)超越1A,這是限制其驅(qū)動(dòng)才能的主要要素。圖中的上拉電阻R3決議了驅(qū)動(dòng)才能的大小和性能。R4是柵極泄放電阻,作用是在柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)沒(méi)有時(shí)疾速泄放掉輸入電容的電荷。R4越小越有利于VMOS的疾速關(guān)斷,但是義會(huì)增加控制電路的驅(qū)動(dòng)擔(dān)負(fù),普通而言,R4的取值不應(yīng)該小于控制電路的輸出阻抗。
在驅(qū)動(dòng)才能有限的條件下,為了減小引線(xiàn)寄生電感的影響,VMOS間隔控制電路越近越好。為了防止柵極電流對(duì)控制電路的影響,圖中的旁路( Bypass)電容也是引薦要采剛的,普通采用聚酣、CBB、瓷片等無(wú)極性電容,容量為0.1~lμF即可。
采用TTL集成電路驅(qū)動(dòng)MOS另一個(gè)需求留意的問(wèn)題是,工作電壓至少要高于VMOS的開(kāi)啟電壓VGS(th),而且要保證圖中A點(diǎn)的驅(qū)動(dòng)電壓高于開(kāi)啟電壓。用CMOS來(lái)驅(qū)動(dòng)根本上不需求思索這樣的問(wèn)題,由于此類(lèi)Ic能夠提供12V左右的信號(hào)電平(圖5.72)。
TTL和CMOS集成電路自身能夠搭接成振蕩電路,產(chǎn)生方波等信號(hào),因此,除了功用上沒(méi)有專(zhuān)用的PWM強(qiáng)大以外(通常的主要區(qū)別是維護(hù)電路),在簡(jiǎn)單的應(yīng)用中是很便當(dāng)?shù)摹?
圖5. 72中的TTL和CMOS電路符號(hào)畫(huà)成了(邏輯)門(mén)電路的方式。門(mén)電路輸出的波形十分規(guī)整,關(guān)于方波而言,就是十分“方”的波形,十分合適驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)電路廠(chǎng)作,只是功率輸出才能有限,普通稱(chēng)之為“電平信號(hào),常見(jiàn)的邏輯門(mén)電路符號(hào)如圖5.73所示,關(guān)于它們的概念,很容易找到相關(guān)的公開(kāi)材料,也不是本書(shū)討論的主要內(nèi)容,在此不再贅述。
專(zhuān)用的PWM集成電路針對(duì)詳細(xì)的應(yīng)用增加了一些適用的功用,經(jīng)典的型號(hào)莫過(guò)于UC3842,TL494了,它們當(dāng)然也能夠直接驅(qū)動(dòng)VMOS(圖5.74)。這些IC的輸出級(jí)普通為“圖騰柱”電路,驅(qū)動(dòng)才能更強(qiáng),像TL494的輸出級(jí),既可以提供圖騰柱輸出,也能夠提供集電極升路輸出。
圖騰柱屬于推挽電路,因而能夠主動(dòng)對(duì)VMOS的柵極停止放電,這樣一來(lái),柵極泄放電阻能夠省略,也能夠取比擬大的數(shù)值,以防萬(wàn)一。假如IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)才能缺乏,外部能夠增加擴(kuò)流電路,常見(jiàn)的電路方式也是圖騰柱的電路。關(guān)于集電極開(kāi)路輸出的IC,如TTL集成電路,外接擴(kuò)流電路時(shí),通常并不從集電極取信號(hào),而是從發(fā)射極取信號(hào)(圖5. 75),這樣—來(lái),內(nèi)部的集電極開(kāi)路輸出級(jí)就變成了射極跟隨器,既降低了輸出阻抗,也有利于開(kāi)關(guān)速度的進(jìn)步。
擴(kuò)流電路普通用來(lái)驅(qū)動(dòng)大電流規(guī)格的VMOS,為了減小驅(qū)動(dòng)控制電路與功率級(jí)電路之間的互相干擾,通常會(huì)采用各自獨(dú)立的電源。為了簡(jiǎn)化圖線(xiàn)的相互穿插以有利于讀圖,地(也稱(chēng)為參考點(diǎn))和電源也會(huì)在恰當(dāng)?shù)闹醒敕謩e畫(huà)出,這種畫(huà)法疏忽了連線(xiàn)的電阻以及阻抗,最初多見(jiàn)于歐美電路原理圖中。在實(shí)踐布線(xiàn)時(shí),應(yīng)該留意它們的影響。
Q3、Q4既能夠采用通用的小功率晶體管,也能夠采用小功率互補(bǔ)對(duì)管,如FPQ6502等等。
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