MOS器件的低電壓低規(guī)格趨勢(shì)｜材料新應(yīng)用的方法
信息來(lái)源：本站 日期：2017-08-07
不過(guò)，在電壓規(guī)格方而，（KIA）VMOS也不是完整沒(méi)有建樹(shù)，豐要開(kāi)展是新型半導(dǎo)體資料的應(yīng)用，典型的例了是SiC，相似的開(kāi)展也表現(xiàn)在IGBT方面。目前實(shí)用化的應(yīng)用是用基于肖特基勢(shì)壘的肖特基二極管替代傳統(tǒng)的體二極管，除了有利于降低VMOS的續(xù)流功耗，重要的是，可以進(jìn)步其抵御“雪崩能量”的才能。關(guān)于雪崩能量的問(wèn)題，相關(guān)的闡明在本書的第3章。
同樣從SiC資料受益的還有功率VFET，并且不局限于體二極管的產(chǎn)品也曾經(jīng)面世，電壓規(guī)格可達(dá)1700V，只是目前的產(chǎn)量和跟進(jìn)的制造商不多，市場(chǎng)前景還有待察看。
SiC資料的應(yīng)用，除了在電壓規(guī)格方面可以有所打破；在低壓產(chǎn)品中也是大有可為，那就是明顯進(jìn)步器件的適用開(kāi)關(guān)頻率(圖1. 48)。當(dāng)然，新型半導(dǎo)體的應(yīng)用，并不儀儀限于SiC，曾經(jīng)開(kāi)端應(yīng)用的新型半導(dǎo)體新資料還有GaN、GaAs等。
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