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MOS管參數(shù)測試方法詳細圖文-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-07-12 

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MOS管參數(shù)測試方法詳細圖文-KIA MOS管


溝槽式場效應(yīng)管

溝槽式場效應(yīng)管TrenchMOSFET是現(xiàn)在比較常用的金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。因其具有低導(dǎo)通電阻、低柵漏電荷密度的特點,所以功率損耗低、開關(guān)速度快。且由于TrenchMOSFET為垂直結(jié)構(gòu)器件,因此可進一步提高其溝道密度,減少芯片尺寸,使功率場效應(yīng)管的SMD微型封裝成為現(xiàn)實。


在手機電池保護電路中,常用到兩個場效應(yīng)管共漏極使用的MOSFET,因為在手機保護電路中,即要進行過充檢測也要進行過放檢測。


該類MOSFET內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)如下圖虛線內(nèi)所示:

MOSFET 參數(shù) 測試


打開該類MOS的規(guī)格書我們會看到許多如下參數(shù):

MOSFET 參數(shù) 測試


那么如何測試這些參數(shù)呢,下面請看測試手法!

注意:

下文中加粗字體為變量,需根據(jù)MOS規(guī)格書來確定實際參數(shù)。


1、VSSS耐壓

按下圖連接測試電路,設(shè)置VGS=0V,VSS1從0V以0.1V步增,逐漸增加電壓至IS=1mA,且MOS無損毀,記錄VSS1的電壓。

MOSFET 參數(shù) 測試


按下圖連接測試電路,設(shè)置VGS=0V,VSS2從0V以0.1V步增,瞬間增加電壓至IS=1mA,且MOS無損毀,記錄VSS2的電壓。

MOSFET 參數(shù) 測試


2、ISSS電流

按下圖連接測試電路,設(shè)置VSS=12V,VGS=0V,記錄下ISSS。

MOSFET 參數(shù) 測試


3、VGS(th)開啟電壓

按下圖連接測試電路,設(shè)置VSS=6V,以0.1V同步增加VGS1的電壓,直至ISS=1mA,記錄下此時VGS1的電壓,同理測試另一FET的VGS2。

MOSFET 參數(shù) 測試


4、IGSS柵極漏電流

按下圖連接測試電路,設(shè)置VSS=0V,VGS1=±8V,記錄下IGSS1,同理測試另一FET的IGSS2。

MOSFET 參數(shù) 測試


5、RSS(on)內(nèi)阻

按下圖連接測試電路,設(shè)置IS=6A,分別測試VGS等于4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V時,S1與S2兩端的電壓VS1S2,RSS(on)=VS1S2/6A。

MOSFET 參數(shù) 測試


6、VFSS二極管導(dǎo)通電壓

按下圖連接測試電路,設(shè)置VGS2=4.5V,VGS1=0V,VS1S2=4.5V,IS1S2=6A,記錄下測試的VFSS1。

同理,設(shè)置VGS1=4.5V,VGS2=0V,VS2S1=4.5V,IS2S1=6A,記錄下測試的VFSS2。

MOSFET 參數(shù) 測試



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