驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管搭建大電流H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路-KIA MOS管

用半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管搭建合適的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)對(duì)大電流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。該電機(jī)驅(qū)動(dòng)板有兩個(gè)H橋電路，可以同時(shí)控制雙路電機(jī)。可通過相應(yīng)的控制信號(hào)來控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和正反轉(zhuǎn)。

大電流H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理圖

PCB 3D圖

大電流H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路詳解

搭建H橋驅(qū)動(dòng)電路一般都包括兩個(gè)部分：半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片和MOS管。自行搭建的H橋驅(qū)動(dòng)所能通過的電流幾乎由MOS管的導(dǎo)通漏極電流所決定。因此，選擇適當(dāng)?shù)腗OS管，即可設(shè)計(jì)出驅(qū)動(dòng)大電流電機(jī)的H橋驅(qū)動(dòng)電路。

NMOS管

在選擇MOS管搭建H橋時(shí)，主要需注意以下一些參數(shù)：

1.漏極電流（Id）：該電流即限制了所能接入電機(jī)的最大電流（一般要選擇大于電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)的電流，否則可能在電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)燒毀MOS管）。

2.柵源閾值電壓/開啟電壓（Vth）：該電壓即MOS管打開所需的最小電壓，也將決定后續(xù)半橋驅(qū)動(dòng)芯片的選擇和設(shè)計(jì)（即芯片柵極控制腳的輸出電壓）。

3.漏源導(dǎo)通電阻（Rds）：該電阻是MOS管導(dǎo)通時(shí)，漏極和源極之間的損耗內(nèi)阻，將會(huì)決定電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，MOS管上的發(fā)熱量，因此一般越小越好。

4.最大漏源電壓（Vds）：該電壓是MOS管漏源之間所能承受的最大電壓，必須大于加在H橋上的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓。

半橋驅(qū)動(dòng)芯片

在H橋驅(qū)動(dòng)電路中，一共需要4個(gè)MOS管。而這四個(gè)MOS管的導(dǎo)通與截止則需要專門的芯片來進(jìn)行控制，即要半橋/全橋驅(qū)動(dòng)芯片。

所謂半橋驅(qū)動(dòng)芯片，便是一塊驅(qū)動(dòng)芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個(gè)MOS管（1個(gè)高端MOS和1個(gè)低端MOS）。因此采用半橋驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，需要兩塊該芯片才能控制一個(gè)完整的H橋。

相應(yīng)的，全橋驅(qū)動(dòng)芯片便是可以直接控制4個(gè)MOS管的導(dǎo)通與截止，一塊該芯片便能完成一個(gè)完整H橋的控制。

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