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40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C 252封裝 原廠直銷-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-06-17 

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40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C 252封裝 原廠直銷-KIA MOS管


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C原廠簡介

KIA公司簡介:廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì),集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C

KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務(wù)全球開關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴,主動(dòng)了解客戶需求,不斷研發(fā)創(chuàng)新,為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C描述

KNX3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET,為大多數(shù)同步BUCK變換器的應(yīng)用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KND3404C滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求, 100%的EAS保證了全部功能的可靠性。


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C特性

RDS(ON),typ.=5.0mΩ@VGS=10V

超低柵電荷

100%EAS保證

綠色設(shè)備

Cdv/dt效應(yīng)下降良好

先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C參數(shù)

(注;具體參數(shù),請(qǐng)查看下面規(guī)格書。)

型號(hào):KNX3404C

漏源電壓:40V

柵源電壓:±20V

持續(xù)漏電流Tc=25℃:80A

持續(xù)漏電流Tc=100℃:58A

脈沖漏極電流:150A

單脈沖雪崩能量:110mJ

雪崩電流:47A

總功耗:52.1W

漏源擊穿

電壓:40V

正向跨導(dǎo):25S

柵極電阻:1.5Ω

輸入電容:3330PF

輸出電容:270PF

反向轉(zhuǎn)移電容:200PF


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C封裝圖


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C規(guī)格書

在線查看及下載規(guī)格書,請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


40V80A場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 KNX3404C




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