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MOS、CMOS集成電路區(qū)別及特性-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-05-11 

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MOS、CMOS集成電路區(qū)別及特性-KIA MOS管


MOS集成電路是以金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場(chǎng)效應(yīng)晶體管為主要元件構(gòu)成的集成電路 。簡(jiǎn)稱(chēng)MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管。直到1968年解決了MOS器件的穩(wěn)定。


MOS集成電路是一種常用的集成電路。最小單元是反相器,由兩只金屬一氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成。這種集成工藝主要用于數(shù)字集成電路的制造,電路集成度可以很高。


MOS集成電路特點(diǎn):

制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單,集成度高、抗干擾能力強(qiáng),特別適合于大規(guī)模集成電路。


MOS集成電路包括:

NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。


PMOS門(mén)電路與NMOS電路的原理完全相同,只是電源極性相反而已。


數(shù)字電路中MOS集成電路所使用的MOS管均為增強(qiáng)型管子,負(fù)載常用MOS管作為有源負(fù)載,這樣不僅節(jié)省了硅片面積,而且簡(jiǎn)化了工藝?yán)诖笠?guī)模集成。常用的符號(hào)如圖1所示。


MOS CMOS 集成電路


NMOS集成電路是N溝道MOS電路,NMOS集成電路的輸入阻抗很高,基本上不需要吸收電流,因此,CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負(fù)載問(wèn)題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電,并且以5V為多。


CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源,就可與NMOS集成電路直接連接。不過(guò),從NMOS到CMOS直接連接時(shí),由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平,因而需要使用一個(gè)(電位)上拉電阻R,R的取值一般選用2~100KΩ。


MOS CMOS 集成電路


P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。


此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。


PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過(guò)程長(zhǎng),加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。


PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿(mǎn)足PMOS對(duì)輸入電平的要求。


CMOS集成電路--由絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成,由于只有一種載流子,因而是一種單極型晶體管集成電路,其基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)N溝道MOS管和一個(gè)P溝道MOS管,以推挽形式工作,能實(shí)現(xiàn)一定邏輯功能的集成電路,簡(jiǎn)稱(chēng)CMOS。如圖所示。

MOS CMOS 集成電路


工作原理:

由于兩管柵極工作電壓極性相反,故將兩管柵極相連作為輸入端,兩個(gè)漏極相連作為輸出端,如圖1(a)所示,則兩管正好互為負(fù)載,處于互補(bǔ)工作狀態(tài)。


當(dāng)輸入低電平(Vi=Vss)時(shí),PMOS管導(dǎo)通,NMOS管截止,輸出高電平,如圖1(b)所示。


當(dāng)輸入高電平(Vi=VDD)時(shí),PMOS管截止,NMOS管導(dǎo)通,輸出為低電平,如圖1(c)所示。


兩管如單刀雙擲開(kāi)關(guān)一樣交替工作,構(gòu)成反相器。


特點(diǎn):

①靜態(tài)功耗低,每門(mén)功耗為納瓦級(jí);

②邏輯擺幅大,近似等于電源電壓;

③抗干擾能力強(qiáng),直流噪聲容限達(dá)邏輯擺幅的35%左右;

④可在較廣泛的電源電壓范圍內(nèi)工作,便于與其他電路接口;

⑤速度快,門(mén)延遲時(shí)間達(dá)納秒級(jí);

⑥在模擬電路中應(yīng)用,其性能比NMOS電路好;

⑦與NMOS電路相比,集成度稍低;

⑧有“自鎖效應(yīng)”,影響電路正常工作。



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