LLC諧振轉換器中如何避免出現(xiàn)MOSFET故障？-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-05-07
為了降低能源成本，設備設計人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設計人員通過增大開關頻率來降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。
由于具有諸多優(yōu)勢如寬輸出調節(jié)范圍、窄開關頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關，LLC諧振轉換器應用越來越普遍。但是，功率MOSFET出現(xiàn)故障一直是LLC諧振轉換器中存在的一個問題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET故障。
初級MOSFET的不良體二極管性能可能導致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴重的直通電流、體二極管dv/dt、擊穿dv/dt，以及柵極氧化層擊穿，異常條件諸如啟動、負載瞬變，和輸出短路。
圖1：LLC諧振轉換器
不同負載條件下LLC諧振轉換器的直流增益特性如圖2所示。根據(jù)不同的運行頻率和負載條件可以分為三個區(qū)域。
諧振頻率fr1右側（藍色部分）為零電壓開關區(qū)域，空載情況下最小次級諧振頻率fr2的左側（紅色部分）是零電流開關區(qū)域。fr1與fr2之間的區(qū)域既可以是零電壓開關區(qū)域，也可以是零電流開關區(qū)域，視負載條件而定。
紫色區(qū)域標識感性負載區(qū)域，粉色區(qū)域標識容性負載區(qū)域。對于開關頻率fs
圖2:LLC諧振轉換器的直流增益特性
在導通MOSFET之前，電流流過其他MOSFET的體二極管。當MOSFET開關導通時，其他MOSFET體二極管的反向恢復應力非常嚴重。
高反向恢復電流尖峰流過其他MOSFET開關，原因是它無法流過諧振電路。它形成高體二極管dv/dt并且其電流和電壓尖峰可能在體二極管反向恢復期間造成器件故障。
因此，轉換器應該避免在容性區(qū)域運行。對于fs》fr1，諧振回路的輸入阻抗是感性負載。如圖3（b）所示，MOSFET在零電壓開關（ZVS）處導通。
導通開關損耗被最小化，原因是存在米勒效應并且MOSFET輸入電容不會因為米勒效應而增大。此外，體二極管反向恢復電流是一小部分正弦波，并在開關電流為正時變?yōu)殚_關電流的一部分。
因此，零電壓開關通常優(yōu)先于零電流開關，原因是因反向恢復電流及其結電容的放電，零電壓開關能夠避免較大的開關損耗和應力。
圖3:LLC諧振轉換器中的工作模式
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
