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【功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管】MOSFET領(lǐng)域是什么?

信息來源:本站 日期:2017-07-13 

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Power MOSFET全稱為功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。其電氣符號及根本接法如圖3-25所示。


PowerMOSFET有三個極,即源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。控制信號“GS加于柵極和源極之間,改動UGS的大小,便可改動漏極電流ID的大小。由于柵—源極之間的阻抗十分大,因而控制電流能夠極小,簡直為0,所以驅(qū)動功率很小。


器件內(nèi)寄生有反向二極管,它在變頻器電路中起續(xù)流維護(hù)作用。

①最大漏極電流IDM  是允許連續(xù)運轉(zhuǎn)的最大漏極電流。

②擊穿電壓uDs  是指漏極與源極之間的擊穿電壓,也就是指管子在截止?fàn)顟B(tài)下,漏極與源極之間的最大維持電壓。

③閾值電壓UGS  是可以使MOSFET管子導(dǎo)通的最低柵極電壓。該電壓為2- 6V。實踐運用時,柵極驅(qū)動電壓應(yīng)為(1.5-2.5)Ucs,即15v左右。

④導(dǎo)通電阻RON是MOSFET管子導(dǎo)通時,漏極與源極之間的電阻值。RON決議了管子的通態(tài)損耗。導(dǎo)通電阻RCN有正溫度系數(shù),即電流越大,RON的值也因附加發(fā)熱而自行增大。因而它對電流的增加有抑止作用。這在器件并聯(lián)應(yīng)用時有自動平衡電流的效果。

⑤開關(guān)頻率  MOSFET的開關(guān)速度和工作頻率要比GTR高1-2個數(shù)量級。普通MOSFET的開關(guān)時間為幾微秒至幾十微秒,最高頻率可達(dá)50kHz以上。

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