MODFET的基本原理

調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管(modulatiorri-doped field effcct transistorJ．MODFET)為異質(zhì)結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)器件．其他常用到的名稱有高電子遷移率晶體管(high electron mobility lran-sistor．HEMT)、二維電子氣場效應(yīng)晶體管(two-dimensional electron gas field-effect tran-sistor．TEGFET)

圖7，1、6為傳統(tǒng)MODFET的透視圖．MODFET的特征是柵極下方的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)以及調(diào)制摻雜層，對于圖7：．16中的器件來說．AIGaAs為一寬禁帶半導(dǎo)體，而GaAs則為窄禁帶半導(dǎo)體．這兩種半導(dǎo)體是被調(diào)制摻雜的，也就是說，除了在極窄的區(qū)域如中并無摻雜外

AIGaAs是被摻雜的，而GaAs glil未破摻雜．AIGaAs中的電子將擴(kuò)散到無摻雜的GaAs中.