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mos管作用是什么? 功率原理是什么?

信息來源:本站 日期:2017-06-05 

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1 概述

MOSFET的中文稱號是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,也叫絕緣柵場效應(yīng)晶體管,縮寫為MOSFET,簡稱MOS管。功率MOSFET是一類導(dǎo)電溝道槽結(jié)構(gòu)特殊的場效應(yīng)管,它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關(guān)器件。它不只繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高(≥108?)、驅(qū)動電流小(0.1μA左右)的優(yōu)點,還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高、跨導(dǎo)線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)秀特性。正是由于它將電子管與功率晶體管的優(yōu)點集于一身,因此在開關(guān)電源、逆變器、電壓放大器、功率放大器等電路中獲得普遍應(yīng)用。
2 分類
MOS管是一種單極性載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的載流子可以劃分為N溝道和P溝道。假定導(dǎo)電溝道的載流子是電子,則稱為N溝道;假定載流子是空穴,則稱為P溝道。MOS管的導(dǎo)電溝道,可以在制造過程中構(gòu)成,也可以經(jīng)過接通外部電源構(gòu)成,當(dāng)柵壓等于零時就存在溝道(即在制造時構(gòu)成的)稱為耗盡型,在施加外部電壓后才構(gòu)成溝道的稱為增強型。按照導(dǎo)電溝道和溝道構(gòu)成的過程兩點來分類,MOS管可以分為:P溝增強型MOS管、P溝耗盡型MOS管、N溝增強型MOS管和N溝耗盡型MOS管。圖四類MOSFET和它們的圖形符號。功率MOSFET普通很少采用P溝道,由于空穴的遷移率比電子的遷移率低,相同的溝道尺寸,P溝道的晶體管比N溝道的導(dǎo)通電阻大。


3 工作原理

功率MOS管是從小功率MOS管展開來的。但在結(jié)構(gòu)上,它們之間相差很大,為了更好天文解功率MOSFET的機理,首先來回想一下小功率場效應(yīng)管的機理。以下以N溝道增強型小功率MOSFET的結(jié)構(gòu)來說明MOS管的原理。

圖1是N溝道增強型小功率MOSFET的結(jié)構(gòu)表示圖。
N溝道增強型MOS管是把一塊低摻雜的P型半導(dǎo)體作為襯底,在襯底上面用擴散的方法構(gòu)成兩各重?fù)诫s的N+區(qū),然后在P型半導(dǎo)體上生成很薄的一層二氧化硅絕緣層,然后在兩個重?fù)诫s的N+區(qū)上端用光刻的辦法刻蝕掉二氧化硅層,顯露N+區(qū),最后在兩個N+區(qū)的表面以及它們之間的二氧化硅表面用蒸發(fā)或者濺射的辦法噴涂一層金屬膜,這三塊金屬膜構(gòu)成了MOS管的三個電極,分別稱為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。MOSFET的特性可以用轉(zhuǎn)移特性曲線和漏極輸出特性曲線來表征。轉(zhuǎn)移特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時,柵極電壓UGS與相對應(yīng)的漏極電流ID之間的關(guān)系曲線。圖3是某種場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性。

圖MOS管的漏極輸出特性場效應(yīng)晶體管的輸出特性可以劃分為四個區(qū)域:可變電阻區(qū)、截止區(qū)、擊穿區(qū)和恒流區(qū)。 可變電阻區(qū)(UDS

在這個區(qū)域內(nèi),UDS增加時,ID線性增加。在導(dǎo)電溝道接近夾斷時,增長變緩。在低UDS分開夾斷電壓較大時,MOS管相當(dāng)于一個電阻,此電阻隨著UGS的增大而減小。截止區(qū)(UGS

擊穿區(qū)在相當(dāng)大的漏-源電壓UDS區(qū)域內(nèi),漏極電流近似為一個常數(shù)。當(dāng)UDS加大道一定數(shù)值以后,漏極PN結(jié)發(fā)作擊穿,漏電流疾速增大,曲線上翹,進入擊穿區(qū)。飽和區(qū)(UDS>UGS-UT)在上述三個區(qū)域保衛(wèi)的區(qū)域即為飽和區(qū),也稱為恒流區(qū)或放大區(qū)。功率MOSFET應(yīng)用在開關(guān)電源和逆變器等功率變換中,就是工作在截止區(qū)和擊穿區(qū)兩個區(qū)。

4 結(jié)構(gòu)特性
圖中MOSFET的結(jié)構(gòu)是不合適運用在大功率的場所,緣由是兩個方面的。一方面是結(jié)構(gòu)上小功率MOSFET三個電極在一個平面上,溝道不能做得很短,溝道電阻大。另一方面是導(dǎo)電溝道是由表面感應(yīng)電荷構(gòu)成的,溝道電流是表面電流,要加大電流容量,就要加大芯片面積,這樣的結(jié)構(gòu)要做到很大的電流可能性也很小。為了抑止MOSFET的載流才干太小和導(dǎo)通電阻大的難題,在大功率MOSFET中通常采用兩種技術(shù),一種是將數(shù)百萬個小功率MOSFET單胞并聯(lián)起來,進步MOSFET的載流才干。另外一種技術(shù)就是對MOSFET的結(jié)構(gòu)中止改進,采用一種垂直V型槽結(jié)構(gòu)。圖3是V型槽MOSFET結(jié)構(gòu)剖面圖。

圖3V型槽MOSFET結(jié)構(gòu)剖面圖在該結(jié)構(gòu)中,漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平方向活動,而是自重?fù)诫sN區(qū)(源極S)動身,經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N漂移區(qū),最后垂直向下抵達(dá)漏極D。電流方向如圖中箭頭所示,由于流通截面積增大,所以能經(jīng)過大電流。在相同的電流密度下,體積也大大減少。


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