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50n06參數(shù)中文 KIA50N06 50A60V 中文資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2020-09-27 

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50n06參數(shù)中文 KIA50N06 50A60內(nèi)阻低 免費送樣-KIA MOS管


一、KIA50N06參數(shù)中文

產(chǎn)品特征:

RDS(on) =10.5m@ VGS =10V

提供無鉛綠色設(shè)備

低Rds開啟,最大限度地減少導(dǎo)電損

高雪崩電流




二、50n06參數(shù)中文

產(chǎn)品用應(yīng):

電源

不間斷電源

電池管理系統(tǒng)



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Mosfet參數(shù)含義說明-50n06參數(shù)中文

Vds:DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時,MOS的DS所能承受的最大電壓

Rds(on):DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時,MOS的DS之間的電阻

Id:最大DS電流.會隨溫度的升高而降低

Vgs:最大GS電壓.一般為:-20V~+20V

Idm:最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低,體現(xiàn)一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也有關(guān)系

Pd:最大耗散功率

Tj:最大工作結(jié)溫,通常為150度和175度

Tstg:最大存儲溫度

Iar:雪崩電流

Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量

Eas:單次脈沖雪崩擊穿能量

BVdss:DS擊穿電壓

Idss:飽和DS電流,uA級的電流

Igss:GS驅(qū)動電流,nA級的電流.

gfs:跨導(dǎo)
Qg:G總充電電量

Qgs:GS充電電量

Qgd:GD充電電量

Td(on):通延遲時間,從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間

Tr:上升時間,輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時間

Td(off):關(guān)斷延遲時間,輸入電壓下降到90%開始到VDS上升到其關(guān)斷電壓時10%的時間

Tf:下降時間,輸出電壓VDS從10%上升到其幅值90%的時間。

Ciss:輸入電容,Ciss=Cgd+Cgs.

Coss:輸出電容,Coss=Cds+Cgd.

Crss:反向傳輸電容,Crss=Cgc.


聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1


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