MOS管和三極管區(qū)別-分析MOS管和三極管原理圖對比-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-09-17
在電路設計當中假設我們想要對電流中止控制，那就少不了三極管的幫助。我們俗稱的三極管其全稱為半導體三極管，它的主要作用就是將微小的信號中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，這就使得一些新手不斷無法明白兩者之間的區(qū)別，本篇文章就將為大家引見三極管和MOS管的一些不同。
關于三極管和MOS管的區(qū)別，簡單總結了幾句話便當大家理解。
從性質上來說：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制。
從本錢上來說：三極管低價，MOS管貴。
關于功耗問題：三極管損耗大。
驅動能力上的的不同：MOS管常用于電源開關以及大電流地方開關電路。
MOS管和三極管原理圖并不復雜，但是分開講述細節(jié)，反而不如對比起來容易理解。這里用一張圖，讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。
MOS管和三極管區(qū)別原理圖
這里以NMOS和NPN三極管為例，并且以電子流（而非電流）方向為主來說明。
MOS管一般可以簡化為三個極，分別是柵極（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控制型器件，用柵極電壓來控制源漏的導通情況；
BJT三極管有三個極，分別是基極（B）發(fā)射極（E）和集電極（C），三極管是電流控制型器件，用基極電流來控制發(fā)射極與集電極的導通情況；
NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓，MOS管相當于兩個背靠背的二極管，不導通；
NPN三極管也一樣，如果偏壓小于閾值電壓，也相當于兩個背靠背的二極管，不導通；
NMOS如果柵上加正電壓，就會在其下感應出相反極性的負電荷，從而產生N型溝道，使源漏導通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點，產生的溝道就寬一點，導通能力就大一點，這就是線性區(qū)。
NPN管如果BE結加正向偏置導通，電子就會進入到基區(qū)。除了被基區(qū)的P型空穴俘獲外，它們有兩個地方可以去：一個是從基極流出，一個是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會越多，這也是線性變化的。
NMOS在漏極電壓比較高時，會使溝道夾斷，之后即使電壓升高，電流不會再升高，因此叫做飽和區(qū)；
NPN三極管在集電極電壓比較高時，也會幾乎全部收集到從發(fā)射極過來的電子，電壓再升高也沒有辦法收集到更多，也是它的飽和區(qū)。
MOS管和三極管區(qū)別的在線性區(qū)，隨著電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區(qū)電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。
