器件發(fā)熱導致的MOS管損壞之謎及MOS管發(fā)熱如何解決-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2020-07-20
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
MOS管作為半導體領域最基礎的器件之一,無論是在 IC 設計里,還是板級電路應用上,都十分廣泛,尤其在大功率半導體領域。然而大功率逆變器MOS管,工作的時候,發(fā)熱量非常大,如果MOS管散熱效果不好,溫度過高就可能導致MOS管的燒毀,進而可能導致整個電路板的損毀。
由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。
直流功率原因:外加直流功率而導致的損耗引起的發(fā)熱
1、導通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大,導致一定電流下,功耗增加)
2、由漏電流IDSS引起的損耗(和其他損耗相比極小)
3、瞬態(tài)功率原因:外加單觸發(fā)脈沖
4、負載短路
5、開關損耗(接通、斷開) *(與溫度和工作頻率是相關的)
6、內(nèi)置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關的)
器件正常運行時不發(fā)生的負載短路等引起的過電流,造成瞬時局部發(fā)熱而導致破壞。另外,由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時,持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導致熱擊穿的破壞。
許多mos管具有結溫過高保護,所謂結溫就是金屬氧化膜下面的溝道區(qū)域溫度,一般是150攝氏度。超過此溫度,mos管不可能導通。溫度下降就恢復。
避免MOS因為器件發(fā)熱而造成的損壞,需要做好足夠的散熱設計。若通過增加散熱器和電路板的長度來供所有MOS管散熱,這樣就會增加機箱的體積,同時這種散熱結構,風量發(fā)散,散熱效果不好。有些大功率逆變器MOS管會安裝通風紙來散熱,但安裝很麻煩。
所以MOS管對散熱的要求很高,散熱條件分為最低和最高,即在運行中的散熱情況的上下浮動范圍。一般在選購的時候通常采用最差的散熱條件為標準,這樣在使用的時候就可以留出最大的安全余量,即使在高溫中也能確保系統(tǒng)的正常運行。
做好MOS管的熱設計,需要足夠的散熱片以及導熱絕緣硅膠墊片才能實現(xiàn)。mos散熱片是一種給電器中的易發(fā)熱電子元件散熱的裝置,多由鋁合金,黃銅或青銅做成板狀,片狀,多片狀等,如電腦中CPU中央處理器要使用相當大的散熱片,電視機中電源管,行管,功放器中的功放管都要使用散熱片。
功率MOS管在過較大的電流時會有發(fā)熱現(xiàn)象,電子元器件對溫度比較敏感,長期工作在高溫狀態(tài)下,會縮短使用壽命,所以要加快熱量的散發(fā)。針對MOS管的發(fā)熱情況可以考慮三個方面去解決。
1、加裝散熱片,擴大散熱面積
功率電子元器件過大電流發(fā)熱比較嚴重,為了提高散熱效率,需要加裝散熱片,將熱量盡快散掉。在設計之初會,結構工程師根據(jù)過電流情況,估算發(fā)熱情況,并結算使用多大的散熱片。以BLDC為例,所用的6個MOS管都是加裝散熱片的,甚至將整個外殼做成鋁殼,將MOS管固定在外殼上加快散熱。
2、選用導通內(nèi)阻較小、過電流大的MOS管
MOS管的源極S和漏極D導通后,會有一個導通電阻Rds(ON),這個導通電阻差異較大,從幾mΩ到幾百mΩ不等。在設計選型時,要根據(jù)電路情況選擇過電流較大、導通電阻較小的MOS管。
3、盡量選用NMOS,而不是PMOS
從生產(chǎn)工藝上來講,NMOS比PMOS更占優(yōu)勢,因為同規(guī)格的NMOS和PMOS而言,NMOS能做到更小的內(nèi)阻,且價格略便宜。也正是因為這個原因,NMOS比PMOS使用更加廣泛。
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