結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）知識(shí)概述、工作特性、結(jié)構(gòu)與圖形符號(hào)等解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2019-12-30
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）JFET是在同一塊N形半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱(chēng)為柵極g，N型半導(dǎo)體兩端分別引出兩個(gè)電極，分別稱(chēng)為漏極d，源極s。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種具有放大功能的三端有源器件,是單極場(chǎng)效應(yīng)管中最簡(jiǎn)單的一種,它可以分N溝道或者P溝道兩種。
對(duì)于耗盡型的JFET，在平衡時(shí)(不加電壓)時(shí)，溝道電阻最??；電壓Vds和Vgs都可改變柵p-n結(jié)勢(shì)壘的寬度，并因此改變溝道的長(zhǎng)度和厚度（柵極電壓使溝道厚度均勻變化，源漏電壓使溝道厚度不均勻變化），使溝道電阻變化，從而導(dǎo)致Ids變化，以實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的放大。
當(dāng)Vds較低時(shí)，JFET的溝道呈現(xiàn)為電阻特性，是所謂電阻工作區(qū)，這時(shí)漏極電流基本上隨著電壓Vds的增大而線性上升，但漏極電流隨著柵極電壓Vgs的增大而平方式增大；進(jìn)一步增大Vds時(shí)，溝道即首先在漏極一端被夾斷，則漏極電流達(dá)到最大而飽和（飽和電流搜大小決定于沒(méi)有被夾斷的溝道的電阻），這就是JFET的飽和放大區(qū)，這時(shí)JFET呈現(xiàn)為一個(gè)恒流源。
JFET的放大作用可用所謂跨導(dǎo)gm=δIds/δVgsS](Vds=常數(shù)) 來(lái)表示，要求跨導(dǎo)越大越好。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)：N溝道和P溝道兩種。如下圖所示為N溝道管的結(jié)構(gòu)和符號(hào)。
如右圖所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖。
由于結(jié)型管外加的是反偏電壓，沒(méi)有柵極電流，所以沒(méi)有輸入特性。漏極電流iD與柵源電壓UGS的關(guān)系曲線稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性。即
場(chǎng)效應(yīng)管具有放大作用，可以組成放大電路，它與雙極性三極管相比具有以下特點(diǎn)：
（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；
（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很高；
（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；
（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)。
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