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開關(guān)電源MOS管的8大損耗及選型基本原則解析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-11-14 

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開關(guān)電源MOS管的8大損耗及選型基本原則解析

開關(guān)損耗概述

開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。開關(guān)損耗(Switching-Loss)包括開通損耗(Turn-on Loss)和關(guān)斷損耗(Turn-of Loss),常常在硬開關(guān)(Hard-Switching)和軟開關(guān)(Soft-Switching)中討論。


所謂開通損耗(Turn-on Loss),是指非理想的開關(guān)管在開通時(shí),開關(guān)管的電壓不是立即下降到零,而是有一個(gè)下降時(shí)間,同時(shí)它的電流也不是立即上升到負(fù)載電流,也有一個(gè)上升時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi),開關(guān)管的電流和電壓有一個(gè)交疊區(qū),會(huì)產(chǎn)生損耗,這個(gè)損耗即為開通損耗。以此類比,可以得出關(guān)斷損耗產(chǎn)生的原因,這里不再贅述。開關(guān)損耗另一個(gè)意思是指在開關(guān)電源中,對(duì)大的MOS管進(jìn)行開關(guān)操作時(shí),需要對(duì)寄生電容充放電,這樣也會(huì)引起損耗。


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MOS設(shè)計(jì)選型的幾個(gè)基本原則

建議初選之基本步驟:


1、電壓應(yīng)力


在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏源擊穿電壓的 90% 。即:


VDS_peak≤ 90% * V(BR)DSS


注:一般地, V(BR)DSS 具有正溫度系數(shù)。故應(yīng)取設(shè)備最低工作溫度條件下之 V(BR)DSS 值作為參考。


2、漏極電流


其次考慮漏極電流的選擇?;驹瓌t為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大周期漏極電流不大于規(guī)格書中標(biāo)稱最大漏源電流的 90% ;漏極脈沖電流峰值不大于規(guī)格書中標(biāo)稱漏極脈沖電流峰值的 90% 即:


ID_max≤ 90% * ID

ID_pulse≤ 90% * IDP


注:一般地,ID_max及ID_pulse 具有負(fù)溫度系數(shù),故應(yīng)取器件在最大結(jié)溫條件下之 ID_max及ID_pulse 值作為參考。器件此參數(shù)的選擇是極為不確定的—主要是受工作環(huán)境,散熱技術(shù),器件其它參數(shù)(如導(dǎo)通電阻,熱阻等)等相互制約影響所致。最終的判定依據(jù)是結(jié)點(diǎn)溫度(即如下第六條之“耗散功率約束”)。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),在實(shí)際應(yīng)用中規(guī)格書目中之 ID 會(huì)比實(shí)際最大工作電流大數(shù)倍,這是因?yàn)樯⒑墓β始皽厣拗萍s束。在初選計(jì)算時(shí)期還須根據(jù)下面第六條的散耗功率約束不斷調(diào)整此參數(shù)。建議初選于3至5倍左右ID= (3-5)*ID_max。


3、驅(qū)動(dòng)要求


MOSFEF 的驅(qū)動(dòng)要求由其柵極總充電電量( Qg )參數(shù)決定。在滿足其它參數(shù)要求的情況下,盡量選擇 Qg 小者以便驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。驅(qū)動(dòng)電壓選擇在保證遠(yuǎn)離最大柵源電壓( VGSS )前提下使 Ron 盡量小的電壓值(一般使用器件規(guī)格書中的建議值)


4、損耗及散熱


小的 Ron 值有利于減小導(dǎo)通期間損耗,小的 Rth 值可減小溫度差(同樣耗散功率條件下),故有利于散熱。


5、損耗功率初算


MOSFET 損耗計(jì)算主要包含如下 8 個(gè)部分:


PD= Pon+ Poff+ Poff_on+ Pon_off+ Pds+ Pgs+Pd_f+Pd_recover


詳細(xì)計(jì)算公式應(yīng)根據(jù)具體電路及工作條件而定。例如在同步整流的應(yīng)用場合,還要考慮體內(nèi)二極管正向?qū)ㄆ陂g的損耗和轉(zhuǎn)向截止時(shí)的反向恢復(fù)損耗。損耗計(jì)算可參考下文的“MOS管損耗的8個(gè)組成部分”部分。


6、耗散功率約束


器件穩(wěn)態(tài)損耗功率 PD,max應(yīng)以器件最大工作結(jié)溫度限制作為考量依據(jù)。如能夠預(yù)先知道器件工作環(huán)境溫度,則可以按如下方法估算出最大的耗散功率:


PD,max≤ ( Tj,max- Tamb)/ Rθj-a


其中 Rθj-a 是器件結(jié)點(diǎn)到其工作環(huán)境之間的總熱阻 , 包括 Rθjuntion-case,Rθcase-sink,Rθsink-ambiance等。如其間還有絕緣材料還須將其熱阻考慮進(jìn)去。


MOS管損耗的8個(gè)組成部分

在器件設(shè)計(jì)選擇過程中需要對(duì) MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計(jì)算值和預(yù)計(jì)波形,套用公式進(jìn)行理論上的近似計(jì)算)。


MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分:


(一)導(dǎo)通損耗Pon


導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負(fù)載電流(即漏源電流) IDS(on)(t)在導(dǎo)通電阻 RDS(on)上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。


導(dǎo)通損耗計(jì)算

先通過計(jì)算得到 IDS(on)(t)函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 IDS(on)rms,再通過如下電阻損耗計(jì)算式計(jì)算:


Pon=IDS(on)rms2× RDS(on)× K × Don


說明


計(jì)算 IDS(on)rms時(shí)使用的時(shí)期僅是導(dǎo)通時(shí)間 Ton ,而不是整個(gè)工作周期 Ts ; RDS(on) 會(huì)隨 IDS(on)(t)值和器件結(jié)點(diǎn)溫度不同而有所不同,此時(shí)的原則是根據(jù)規(guī)格書查找盡量靠近預(yù)計(jì)工作條件下的 RDS(on) 值(即乘以規(guī)格書提供的一個(gè)溫度系數(shù) K )。


(二)截止損耗Poff


截止損耗,指在 MOSFET 完全截止后在漏源電壓 VDS(off) 應(yīng)力下產(chǎn)生的漏電流 IDSS造成的損耗。


截止損耗計(jì)算

先通過計(jì)算得到 MOSFET 截止時(shí)所承受的漏源電壓 VDS(off) ,在查找器件規(guī)格書提供之 IDSS ,再通過如下公式計(jì)算:


Poff=VDS(off)× IDSS×( 1-Don)


說明

IDSS會(huì)依 VDS(off) 變化而變化,而規(guī)格書提供的此值是在一近似 V(BR)DSS條件下的參數(shù)。如計(jì)算得到的漏源電壓 VDS(off)很大以至接近 V(BR)DSS則可直接引用此值,如很小,則可取零值,即忽略此項(xiàng)。


(三)開啟過程損壞


開啟過程損耗,指在 MOSFET 開啟過程中逐漸下降的漏源電壓 VDS(off_on)(t)與逐漸上升的負(fù)載電流(即漏源電流) IDS(off_on)(t)交叉重疊部分造成的損耗。


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開啟過程損耗計(jì)算

開啟過程 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 交叉波形如上圖所示。首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS(off_end)、開啟完成后的 IDS(on_beginning)即圖示之 Ip1,以及 VDS(off_on)(t) 與 IDS(off_on)(t) 重疊時(shí)間 Tx。然后再通過如下公式計(jì)算:


Poff_on= fs×∫TxVDS(off_on)(t) × ID(off_on)(t) × dt


實(shí)際計(jì)算中主要有兩種假設(shè) — 圖 (A) 那種假設(shè)認(rèn)為 VDS(off_on)(t)的開始下降與 ID(off_on)(t)的逐漸上升同時(shí)發(fā)生;圖 (B) 那種假設(shè)認(rèn)為 VDS(off_on)(t)的下降是從 ID(off_on)(t)上升到最大值后才開始。圖 (C) 是 FLYBACK 架構(gòu)路中一 MOSFET 實(shí)際測試到的波形,其更接近于 (A) 類假設(shè)。針對(duì)這兩種假設(shè)延伸出兩種計(jì)算公式:


(A) 類假設(shè) Poff_on=1/6×VDS(off_end)×Ip1×tr ×fs

(B) 類假設(shè) Poff_on=1/2×VDS(off_end)×Ip1×(td(on)+tr)×fs

(B) 類假設(shè)可作為最惡劣模式的計(jì)算值。


說明

圖 (C) 的實(shí)際測試到波形可以看到開啟完成后的 IDS(on_beginning)>>Ip1(電源使用中 Ip1 參數(shù)往往是激磁電流的 初始值)。疊加的電流波峰確切數(shù)值我們難以預(yù)計(jì)得到,其 跟電路架構(gòu)和器件參數(shù)有關(guān)。例如 FLYBACK 中 實(shí)際電流應(yīng) 是 Itotal=Idp1+Ia+Ib (Ia 為次級(jí)端整流二極管的反向恢 復(fù)電流感應(yīng)回初極的電流值 -- 即乘以匝比, Ib 為變壓器 初級(jí)側(cè)繞組層間寄生電容在 MOSFET 開關(guān)開通瞬間釋放的 電流 ) 。這個(gè)難以預(yù)計(jì)的數(shù)值也是造成此部分計(jì)算誤差的 主要原因之一。


(四)關(guān)斷過程損耗


關(guān)斷過程損耗。指在 MOSFET 關(guān)斷過程中 逐漸上升的漏源電壓 VDS(on_off) (t)與逐漸 下降的漏源電流 IDS(on_off)(t)的交叉重 疊部分造成的損耗。


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關(guān)斷過程損耗計(jì)算

如上圖所示,此部分損耗計(jì)算原理及方法跟 Poff_on類似。 首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到關(guān)斷完成后之漏源電壓 VDS(off_beginning)、關(guān)斷時(shí)刻前的負(fù)載電流 IDS(on_end)即圖示之 Ip2 以及 VDS(on_off) (t)與 IDS(on_off)(t)重疊時(shí)間 Tx 。然后再通過 如下公式計(jì)算:


Poff_on= fs×∫ TxVDS(on_off)(t) × IDS(on_off)(t) × dt


實(shí)際計(jì)算中,針對(duì)這兩種假設(shè)延伸出兩個(gè)計(jì)算公式:


(A) 類假設(shè) Poff_on=1/6 × VDS(off_beginning) × Ip2 × tf × fs

(B) 類假設(shè) Poff_on=1/2 × VDS(off_beginning) × Ip2 × (td(off)+tf) × fs

(B) 類假設(shè)可作為最惡劣模式的計(jì)算值。


說明:

IDS(on_end) =Ip2,電源使用中這一參數(shù)往往是激磁電流 的末端值。因漏感等因素, MOSFET 在關(guān)斷完成后之 VDS(off_beginning)往往都有一個(gè)很大的電壓尖峰 Vspike 疊加其 上,此值可大致按經(jīng)驗(yàn)估算。


(五)驅(qū)動(dòng)損壞Pgs


驅(qū)動(dòng)損耗,指柵極接受驅(qū)動(dòng)電源進(jìn)行驅(qū)動(dòng)造成之損耗


驅(qū)動(dòng)損耗的計(jì)算

確定驅(qū)動(dòng)電源電壓 Vgs后,可通過如下公式進(jìn)行計(jì)算:


Pgs= Vgs × Qg × fs


說明

Qg 為總驅(qū)動(dòng)電量,可通過器件規(guī)格書查找得到。


(六)Coss電容的泄放損耗Pds


Coss電容的泄放損壞,指MOS輸出電容 Coss 截止期間儲(chǔ)蓄的電場能于導(dǎo)同期間在漏源極上的泄放損耗。


Coss電容的泄放損耗計(jì)算

首先須計(jì)算或預(yù)計(jì)得到開啟時(shí)刻前之 VDS,再通過如下公式進(jìn)行計(jì)算:


Pds=1/2 × VDS(off_end)2× Coss × fs


說明

Coss 為 MOSFET 輸出電容,一般可等于 Cds ,此值可通過器件規(guī)格書查找得到。


(七) 體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗Pd_f


體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗,指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流時(shí)因正向壓降造成的損耗。


體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計(jì)算

在一些利用體內(nèi)寄生二極管進(jìn)行載流的應(yīng)用中(例如同步整流),需要對(duì)此部分之損耗進(jìn)行計(jì)算。公式如下:


Pd_f = IF × VDF × tx × fs


其中: IF 為二極管承載的電流量, VDF 為二極管正向?qū)▔航担?tx 為一周期內(nèi)二極管承載電流的時(shí)間。


說明

會(huì)因器件結(jié)溫及承載的電流大小不同而不同??筛鶕?jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境在其規(guī)格書上查找到盡量接近之?dāng)?shù)值。


(八)體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗Pd_recover


體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗,指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗。


體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計(jì)算

這一損耗原理及計(jì)算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下:


Pd_recover=VDR × Qrr × fs


其中: VDR 為二極管反向壓降, Qrr 為二極管反向恢復(fù)電量,由器件提供之規(guī)格書中查找而得。


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