NCE80H16可用哪些品牌替代-MOS管參數(shù)、封裝、規(guī)格書詳情-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-07-02
KIA2808A可替代NCE80H16，KIA半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。
從設(shè)計(jì)研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導(dǎo)體真正實(shí)現(xiàn)了一體化的服務(wù)鏈，真正做到了服務(wù)細(xì)節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應(yīng)管（MOSFET）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，為了這個(gè)目標(biāo)，KIA半導(dǎo)體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！
RDS(on) =4.0毫歐（典型值）@ VGS=10V
100%雪崩測試
可靠、堅(jiān)固耐用
無鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
產(chǎn)品型號：KIA2808A
工作方式：150A/80V
漏源電壓：80V
柵源電壓：±25V
漏電流連續(xù)：150A
脈沖漏極電流：660A
雪崩能量：1.1***mJ
耗散功率：178W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：80V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：6109PF
輸出電容：995PF
上升時(shí)間：18ns
開關(guān)中的應(yīng)用
逆變電源的電源管理
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VDS=80V,ID=160A
RDS(ON)<4.7mΩ@VGS=10V
超低RDSON高密度電池設(shè)計(jì)
穩(wěn)定性好，均勻性好
良好的散熱包裝
高靜電放電性能的特殊工藝技術(shù)
（一）封裝尺寸
（二）封裝引腳圖
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