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MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數(shù)/規(guī)格書(shū)/封裝詳情-KIA MOS管

信息來(lái)源：本站　日期：2019-06-20　

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MOS管 HY3210可以用KNX2910A替代 參數(shù)/規(guī)格書(shū)/封裝詳情

KIA半導(dǎo)體KNX2910A可以替代HY3210，KIA半導(dǎo)體深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。


KIA半導(dǎo)體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運(yùn)輸、綠色照明四大領(lǐng)域，不僅包括光伏逆變及無(wú)人機(jī)、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA專注于產(chǎn)品的精細(xì)化與革新，力求為客戶提供最具行業(yè)領(lǐng)先、品質(zhì)上乘的科技產(chǎn)品。

下文將介紹HY3210和KNX2910A兩個(gè)型號(hào)的參數(shù)對(duì)比、封裝、規(guī)格書(shū)等詳情。


KNX2910A 130A/100V產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域

1、開(kāi)關(guān)電源中的高效同步整流

2、高速功率開(kāi)關(guān)


MOS管KNX2910A 130A/100V特征

RDS(on)=5.0mΩ @VGS=10V

超高密度電池設(shè)計(jì)

超低導(dǎo)通電阻

雪崩測(cè)試100%

提供無(wú)鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）


MOS管KNX2910A 130A/100V主要參數(shù)

型號(hào)：KNX2910A

參數(shù)：130A/100V

漏源電壓：100V

柵源電壓:±25V

雪崩能量單脈沖:552MJ

漏源擊穿電壓:100V

輸入電容：6800pF

輸出電容：630pF

反向轉(zhuǎn)移電容：350pF


MOS管KNX2910A 130A/100V封裝圖


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MOS管KNX2910A 130A/100V規(guī)格書(shū)

查看及下載規(guī)格書(shū)，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。


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MOS管 3210產(chǎn)品特點(diǎn)

RDS(ON)=6.8mΩ(typ.)@VGS=10V

雪崩測(cè)試100%

可靠、堅(jiān)固

無(wú)鉛和綠色設(shè)備


MOS管 HY3210應(yīng)用領(lǐng)域

電源切換應(yīng)用

不間斷電源


MOS管 HY3210封裝引腳圖


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MOS管 HY3210 100V/120A參數(shù)


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MOS管 HY3210 100V/120A規(guī)格書(shū)

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