KIA35P10A替代CMD5950 PDF資料參數(shù)-KIA35P10A大批量供貨-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2019-05-13
CMD5950采用先進的溝槽技術和設計,提供優(yōu)良的低門電荷RDS(on),它可用于多種用途。
P溝道
低電阻
快速切換100%
雪崩測試
漏源電壓:-100V
柵源電壓:20V
連續(xù)漏電流:-35a
脈沖漏極電流:-105a
雪崩電流:- 35 A
總功耗:50w
儲存溫度范圍:- 55至150
工作結溫度范圍:150℃
1、RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V
2、100%EAS保證
3、綠色設備可用
4、超低門電荷
5、Cdv/dt效應低
6、先進的高密度槽道技術
7、KIA35P10A采用先進的溝槽MOSFET技術,以提供優(yōu)良的RS(ON)和門KIA35P10A符合RoHS和Green的要求,適用于多種用途。KIA35P10A產(chǎn)品要求:100%EAS保證,功能可靠。
產(chǎn)品型號:KIA35P10A
工作方式:-35A/-100V
漏源極電壓:-100V
柵源電壓:±20V
單脈沖雪崩能:345MJ
雪崩電流:28A
總功耗:104W
操作和儲存溫度范圍:-55℃至+150℃
1、電動車防盜器
2、農(nóng)機
查看及下載規(guī)格書,請點擊下圖。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助