MOS管如何分析電路工作原理
信息來源:本站 日期:2017-04-27
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是,固然PMOS可以很便當?shù)赜米鞲叨蓑?qū)動,但由于導(dǎo)通電阻大,價錢貴,交流種類少等緣由,在高端驅(qū)動中,通常還是運用NMOS。電路分析如下:pmos的開啟條件是VGS電壓為負壓,并且電壓的絕對值大于最低開啟電壓,普通小功率的PMOS管的最小開啟電壓為0.7V左右,假定電池充溢電,電壓為4.2V,VGS=-4.2V,PMOS是導(dǎo)通的,電路是沒有問題的。當5V電壓時,G極的電壓為5V,S極的電壓為5VV-二極管壓降(0.5左右)=4.5V,PMOS管關(guān)段,當沒有5V電壓時,G極電壓下拉為0V,S極的電壓為電池電壓(假定電池充溢電4.2V)-MOS管未導(dǎo)通二極管壓降(0.5V)=3.7,這樣PMOS就導(dǎo)通,二極管壓降就沒有了這樣VGS=-4.2V.PMOS管導(dǎo)通對負載供電。在這里用一個肖特基二極管(SS12)也可以處置這個問題,不過就是有0.3V左右的電壓降。這里運用PMOS管,PMOS管完好導(dǎo)通,內(nèi)阻比較小,優(yōu)與肖特基,幾乎沒有壓降。不過下拉電阻運用的有點大,驅(qū)動PMOS不需求電流的,只需電壓抵達就可以了,可以運用大電阻,減少工作電流,推薦運用10K-100K左右的電阻。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值普通偏高,央求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)呈現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價錢低價,有些中范圍和小范圍數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
改動?xùn)艍嚎梢愿膭訙系乐械碾娮用芏?,從而改動溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。假定N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道,加上恰當?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
聯(lián)系方式:鄒先生
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請搜微信號:“KIA半導(dǎo)體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識別關(guān)注