MOS管,KNX9130A替代IRFB4137,40A/300V

KIA半導(dǎo)體產(chǎn)品MOS管KNX9130A替代IRFB4137，KNX9130A相比IRFB4137,KIA半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管有著雪崩沖擊低、低內(nèi)阻等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。下文將會(huì)有KNX9130A和IRFB4137兩個(gè)產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)、封裝、規(guī)格書。

KIA半導(dǎo)體也一直執(zhí)行全面質(zhì)量管理體系，是將所有產(chǎn)品質(zhì)量從芯片設(shè)計(jì)開始，一直貫徹到客戶使用的全過程質(zhì)量跟蹤和監(jiān)控。我們確定在這一質(zhì)量控制體系下生產(chǎn)的產(chǎn)品，在相關(guān)環(huán)節(jié)的質(zhì)量狀態(tài)和信息都是有效控制，確保提供給客戶的產(chǎn)品是安全可靠的。下文將描述KNX9130A產(chǎn)品附件及主要參數(shù)詳情。

MOS管 KNX9130A產(chǎn)品特征

RDS(ON),typ.=100mΩ@VGS=10V

專有的新平面技術(shù)

低柵電荷最小開關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管

KNX9130A替代IRFB4137-KNX9130A 40A/300V主要參數(shù)詳情

型號(hào)：KNX9130A

工作方式：40A/300V

漏源極電壓：250V

柵極到源極電壓：±20V

連續(xù)漏電電流：40A

單脈沖雪崩能量:1250MJ

二極管峰值恢復(fù):5.0V/ns

漏源擊穿電壓:300V

二極管正向電壓:1.5V

輸入電容:3100pF

輸出電容:250pF

反向傳輸電容:80pF

KNX9130A封裝圖

查看詳情，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。

KNX9130A 40A/300V產(chǎn)品規(guī)格書

查看詳情，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。

IRFB4137的產(chǎn)品特征

MOS管 KNX9130A替代IRFB4137的產(chǎn)品特征如下：

1、改進(jìn)的雪崩和動(dòng)態(tài)的dV/dt堅(jiān)固性

2、增強(qiáng)二極管dV/dt和dI/dt能力

3、無鉛、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

KNX9130A替代IRFB4137-MOS管 IRFB4137 38A/300V主要參數(shù)

型號(hào)：IRFB4137

參數(shù)：38A/300V

封裝：TO-220

脈沖漏電流：152A

最大功耗:341W

線性遞減因子:2.3W/℃

柵極到源極電壓：±20V

二極管峰值恢復(fù):8.9V/ns

漏源擊穿電壓:300V

柵極電阻:1.3Ω

MOS管 IRFB4137 38A/300V產(chǎn)品規(guī)格書

查看規(guī)格書，請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。

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