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低壓MOS管 50N06B 50A/60V規(guī)格書-內(nèi)阻低 雪崩沖擊小 免費送樣-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-01-24 

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低壓MOS管 50N06B 50A/60V

低壓MOS管50N06B產(chǎn)品特點

1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V

2、無鉛綠色裝置

3、降低導(dǎo)電損耗

4、高雪崩電流


低壓MOS管50N06B主要參數(shù)

產(chǎn)品型號:KIA50N06B

工作方式:50A/60V

漏源極電壓:60V

柵源電壓:±25

脈沖漏電流:250A

雪崩電流:15A

雪崩能量:120MJ

最大功耗:88W/44W


低壓MOS管50N06B應(yīng)用領(lǐng)域

1、電力供應(yīng)

2、UPS

3、電池管理系統(tǒng)


低壓MOS管50N06B封裝及引腳圖

低壓MOS管,50N06B,50A/60V


低壓MOS管50N06B產(chǎn)品規(guī)格書

查看詳情,請點擊下圖

低壓MOS管,50N06B,50A/60V



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