KIA35P10A替代CMD5950規(guī)格書 廠家直銷-低內(nèi)阻 雪崩沖擊小-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2018-12-26
KIA35P10A采用先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù),提供優(yōu)良的RDS(ON)和柵極。用于各種各樣的應(yīng)用中的電荷。KIA35P10A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品要求,100% EAS保證全功能可靠性批準(zhǔn)。
RDS(on) =42mΩ(typ)@VGS=10V
100% EAS保證
可用綠色設(shè)備
超低柵電荷
優(yōu)良的CDV/DT效應(yīng)下降
先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)
產(chǎn)品型號(hào):KIA35P10A
工作方式:-35A /-100V
漏源電壓:-100V
柵源電壓:±20V
漏電流連續(xù):-35A
脈沖漏極電流:-100A
雪崩電流:28A
雪崩能量:345mJ
耗散功率:104W
熱電阻:62℃/V
漏源擊穿電壓:-100V
柵極閾值電壓:-1.2V
輸入電容:4920PF
輸出電容:223PF
上升時(shí)間:32.2ns
查看詳情,請(qǐng)點(diǎn)擊下圖。
CMD5950采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)良的低門電荷RDS(on),它可用于多種用途。
P溝道
低電阻
快速切換100%
雪崩測(cè)試
漏源電壓:-100 V
柵源電壓:20V
連續(xù)漏電流:-35a
脈沖漏極電流:-105a
雪崩電流:- 35 A
總功耗:50w
儲(chǔ)存溫度范圍:- 55至150
工作結(jié)溫度范圍:150℃
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話:0755-83888366-8022
手機(jī):18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
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