10n60 9.5A/600V場效應(yīng)管參數(shù)PDF中文資料-半導(dǎo)體原廠-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2018-10-11
可易亞設(shè)計了KIA10N60H N溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速度的功率開關(guān)應(yīng)用,如高效率的開關(guān)電源。電源,有源功率因數(shù)校正,電子鎮(zhèn)流器基于半橋式,以消光。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低門電荷(典型的44nC)
3、快速交換能力
4、雪崩能量指定值
5、改進的dv/dt能力
產(chǎn)品型號:KIA10N60H
工作方式:9.5A/600V
漏源極電壓:600V
柵源電壓:±30V
漏電流脈沖:38.0*A
結(jié)溫:+150℃
貯存溫度:-55℃至150℃
以下為KIA10N60H產(chǎn)品PDF格式的產(chǎn)品詳細資料,查看詳情請點擊下圖。
聯(lián)系方式:鄒先生
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