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電動車控制器 場效應(yīng)管應(yīng)用方案參數(shù)及測量MOS管方式等-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2018-10-03 

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電動車控制器場效應(yīng)管

1、MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)

開通過程、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程、截止?fàn)顟B(tài)、擊穿狀態(tài)。  

MOS主要損耗包括開關(guān)損耗(開通過程和關(guān)斷過程),導(dǎo)通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。電動車控制器場效應(yīng)管只要把這些損耗控制在MOS承受規(guī)格之內(nèi),MOS即會正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。

而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗,尤其是PWM沒完全打開,處于脈寬調(diào)制狀態(tài)時(對應(yīng)電動車的起步加速狀態(tài)),而最高急速狀態(tài)往往是導(dǎo)通損耗為主。


2、 MOS管在電動車控制器中的作用

電動車控制器場效應(yīng)管簡單來說電機是靠MOS的輸出電流來驅(qū)動的,輸出電流越大(為了防止過流燒壞MOS管,控制器有限流保護(hù)),電機扭矩就強,加速就有力。


3、MOS損壞主要原因

過流,大電流引起的高溫?fù)p壞(分持續(xù)大電流和瞬間超大電流脈沖導(dǎo)致結(jié)溫超過承受值);過壓,源漏級大于擊穿電壓而擊穿;柵極擊穿,一般由于柵極電壓受外界或驅(qū)動電路損壞超過允許最高電壓(柵極電壓一般需低于20v安全)以及靜電損壞。


4、MOS在電動車控制器中的應(yīng)用

我們電動車控制器場效應(yīng)管和平常cmos集成電路中的小功率mos結(jié)構(gòu)是不一樣的。小功率mos是平面型結(jié)構(gòu)。而電動車上上用的功率mos是立體結(jié)構(gòu)。平面型結(jié)構(gòu)是指,mos柵極,源級和漏級都在芯片表面(或者說正面),而溝道也在芯片表面橫向排列。(我們常見的教科書的介紹mos原理一般都是拿平面結(jié)構(gòu)介紹)。而功率mos的立體結(jié)構(gòu)(溝道是深槽立體結(jié)構(gòu))是柵極和源級引線從芯片正面引出(其實柵極也不在表面而是內(nèi)部,只是比較靠近表面),而漏級是從芯片背面引出(其實整個芯片背面都是漏級連接在一起的,整個個漏級用焊接材料直接焊接在金屬板上,就是mos的金屬背板,一般是銅鍍錫的),所以我們見到的mos一般金屬板和中間引腳(就是漏級)是完全導(dǎo)通的(有些特殊的封裝是可以做到金屬板和中間腳絕緣的)。

功率mos內(nèi)部從漏級到源級是有一個二極管的,這個二極管基本上所有的功率mos都具有,和它本身結(jié)構(gòu)有關(guān)系(不需要單獨制造,設(shè)計本身就有)。當(dāng)然可以通過改變設(shè)計制造工藝,不造出這個二極管。但是這會影響芯片功率密度,要做到同樣耐壓和內(nèi)阻,需要更大的芯片面積(因為結(jié)構(gòu)不同)。大家只是知道這回事就行了。

我們所見的電動車控制器場效應(yīng)管,其實內(nèi)部由成千上萬個小mos管并聯(lián)而成(實際數(shù)量一般是上千萬個,和芯片面積和工藝有關(guān))。如果在工作中,有一個或幾個小管短路,則整個mos表現(xiàn)為短路,當(dāng)然大電流短路mos可能直接燒斷了(有時表現(xiàn)為金屬板和黑色塑封間開裂),又表現(xiàn)為開路。大家可能會想這上千萬個小mos應(yīng)該很容易出現(xiàn)一個或幾個壞的吧,其實真沒那么容易,目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數(shù)高度一致性。它們的各種開關(guān)動作幾乎完全一致,當(dāng)然最終燒壞時,肯定有先承受不了的小管先壞。所以管子的穩(wěn)定性和制造工藝密不可分,差的工藝可能導(dǎo)致這些小管的參數(shù)不那么一致。有時一點小的工藝缺陷(比如一個1um甚至更小的顆粒如果在關(guān)鍵位置)往往會造成整個芯片(缺陷所在的管芯)報廢。


5、MOS管的開關(guān)原理

MOS是電壓驅(qū)動型器件,只要柵極G和源級S間給一個適當(dāng)電壓,源級S和漏級D間導(dǎo)電通路就形成。這個電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻,也就是導(dǎo)通電阻。這個內(nèi)阻大小基本決定了MOS芯片能承受的最大導(dǎo)通電流(當(dāng)然和其它因素有關(guān),最有關(guān)的是熱阻)。內(nèi)阻越小承受電流越大(因為發(fā)熱?。OS問題遠(yuǎn)沒這么簡單,麻煩在它的柵極和源級間,源級和漏級間,柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程(電容電壓不能突變),所以MOS源級和漏級間由截止到導(dǎo)通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。關(guān)斷過程和這個相反。


電動車控制器場效應(yīng)管主要就是玩怎么最優(yōu)控制它的柵極。但是MOS內(nèi)部這三個等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系,它們相互影響,并不是獨立的,如果獨立的就很簡單了。其中一個關(guān)鍵電容就是柵極和漏級間的電容Cgd,這個電容業(yè)界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的,隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石,因為達(dá)到一個平臺后,柵極的充電電流必須給米勒電容充電,這時柵極和源級間電壓不再升高,達(dá)到一個平臺,這個是米勒平臺(米勒平臺就是給Cgd充電的過程),米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。


因為這個時候源級和漏級間電壓迅速變化,內(nèi)部電容相應(yīng)迅速充放電,這些電流脈沖會導(dǎo)致MOS寄生電感產(chǎn)生很大感抗,這里面就有電容,電感,電阻組成震蕩電路(能形成2個回路),并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最頭疼的就是這個米勒平臺如何過渡。


如果開關(guān)速度很快,這個電流變化率很高,振幅加大并震蕩延時(柵極電壓震蕩劇烈會影響柵極電容的充電速度,內(nèi)部表現(xiàn)是電容一會充電,一會放電)。所以干脆開關(guān)慢點(就是柵極電容慢慢充電,用小電流充電),這樣震蕩是明顯減輕了,但是開關(guān)損耗增大了。MOS開通過程源級和漏級間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的導(dǎo)通內(nèi)阻(導(dǎo)通內(nèi)阻一般低壓mos只有幾毫歐姆)的一個轉(zhuǎn)變過程。比如一個MOS最大電流100A,電池電壓96V,在開通過程中,有那么一瞬間(剛進(jìn)入米勒平臺時)MOS發(fā)熱功率是96*100=9600w!這時它發(fā)熱功率最大,然后發(fā)熱功率迅速降低直到完全導(dǎo)通時功率變成100*100*0.003=30w(這里假設(shè)這個mos導(dǎo)通內(nèi)阻3毫歐姆)。開關(guān)過程中這個發(fā)熱功率變化是驚人的。

如果開通時間慢,意味著發(fā)熱從9600w到30w過渡的慢,MOS結(jié)溫會升高的厲害。所以開關(guān)越慢,結(jié)溫越高,容易燒MOS。為了不燒MOS,只能降低MOS限流或者降低電池電壓,比如給它限制50a或電壓降低一半成48v,這樣開關(guān)發(fā)熱損耗也降低了一半。不燒管子了。這也是高壓控容易燒管子原因,高壓控制器和低壓的只有開關(guān)損耗不一樣(開關(guān)損耗和電池端電壓基本成正比,假設(shè)限流一樣),導(dǎo)通損耗完全受mos內(nèi)阻決定,和電池電壓沒任何關(guān)系。我這里說的不一定每個人都需要很懂,大概能知道點就好了,做控制器設(shè)計的應(yīng)該能理解。


其實整個mos開通過程非常復(fù)雜。里面變量太多。總之就是開關(guān)慢不容易米勒震蕩,但開關(guān)損耗大,管子發(fā)熱大,開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低(只要能有效抑制米勒震蕩),但是往往米勒震蕩很厲害(如果米勒震蕩很嚴(yán)重,可能在米勒平臺就燒管子了),反而開關(guān)損耗也大,并且上臂mos震蕩更有可能引起下臂mos誤導(dǎo)通,形成上下臂短路。所以這個很考驗設(shè)計師的驅(qū)動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點(一般開通過程不超過1us)。開通損耗這個最簡單,只和導(dǎo)通電阻成正比,想大電流低損耗找內(nèi)阻低的。



6、Mos封裝

不同封裝方式則內(nèi)部寄生電感差異很大。電動車上常用的小管(TO-220封裝)和大管(TO-247封裝)封裝電感都挺大,但是之所以它們用量很高,是因為這種結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計比較容易(大功率下散熱是非常重要的)。一般大管封裝電感是大于小管的。在控制器設(shè)計時,mos封裝寄生電感需要考慮,但也許無法解決,不過外部布線電感則必須設(shè)計合理,尤其是多管并聯(lián)時做到均勻分配。

大管和小管的優(yōu)缺點比較(只這兩種比)。大管優(yōu)點,金屬背板面積大所以散熱好做,封裝電阻低(引線粗),所以封裝電流可以做到很大(可以200a左右)。大管缺點,占地方大(這個很明顯),封裝電感稍大。小管優(yōu)點,占地方小,封裝電感稍小。小管缺點,封裝電阻大(引線細(xì)),封裝電流較?。ㄒ话?20a以下),金屬板面積小散熱較弱。(封裝電流和芯片過流能力是兩個完全不同的概念,有的廠家規(guī)格書標(biāo)芯片過流能力,而有的廠家是這兩個電流哪個小標(biāo)哪個。因為小的決定了整個管子的電流能力。

大管和小管簡單誤區(qū)及說明。千萬不要認(rèn)為大管的芯片面積一定大于小管的。有些芯片本來就有不同的封裝方式,比如分別用小管和大管封裝,其實它們的芯片面積一樣大,大管封裝只是為了散熱更好些或封裝電流更大些。所以大管封裝里面芯片面積可大可小,同樣小管封裝里面芯片面積也可大可小。不過大管封裝能容納的最大芯片面積大概是小管封裝的2倍(甚至多點)。舉例說明,irfb4110用小管封裝,芯片已經(jīng)把小管內(nèi)部填滿了,面積再大小管放不進(jìn)了,而為了得到更低內(nèi)阻管子,所以有大管irfp4468,這個芯片面積比irfb4110大了一倍,所以它的內(nèi)阻低了一半,各種電容大了一倍。所以一個4468的芯片成本是4110的2倍(同樣大管封裝成本也比小管高)。所以4468比4110貴了差不多一倍(相當(dāng)于把兩個4110封裝在一起的等效效果)。


7、電瓶車控制器MOS管測量方法

簡單教大家一測量控制器方法:控制器有6路MOS管,一般控制器壞都是燒MOS管,如何在不打開外殼的情況下確定MOS管是否燒壞,方法如下:


1??刂破魇裁淳€也不要接,取下來。


電動車控制器場效應(yīng)管


2 萬用表拔到二極管檔,一般在通斷檔上。

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3、任意MOS管內(nèi)部都有一個二極管,如果MOS管燒了,那二極管肯定燒,所以,量MOS管的二極管好壞就確定了MOS管好壞。按下面的步驟測量二極管,萬用表上穩(wěn)定顯示0.37~0.44V左右電壓,說明這路MOS管好的,如果顯示0V電壓,說明這路MOS管擊穿;如果顯示0.7V以上電壓,說明這路MOS管擊斷。

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4.控制器部分的上臂三相的MOS管,黑表筆接副電池正極接入線(純控制器就接正線),紅表筆分別量三條相線

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5.控制器部分的下臂三相的MOS管,紅表筆接主電池負(fù)極接入線(純控制器就接負(fù)線),黑表毛分別量三條相線

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電動車控制器領(lǐng)域的時用到MOS管,跟大家介紹一下MOS管廠家,深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)

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自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力強大的研發(fā)平臺,使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設(shè)計方面擁有知識產(chǎn)權(quán)35項,并掌握多項場效應(yīng)管核心制造技術(shù)。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

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