數(shù)字萬用表mos測量好壞-淺析MOS管發(fā)熱原因及其他基礎(chǔ)知識詳解-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2018-09-05
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,以下為N溝道和P溝道符號。
N溝道m(xù)os管符號
P溝道m(xù)os管符號
1)用10K檔,內(nèi)有15伏電池??商峁?dǎo)通電壓。
2)因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管。
3)利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便。但要放電時需短路管腳或反充。
4)大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷。
5)大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源。
以上前三點(diǎn)必需掌握,后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用,很快就能判管腳,分好壞。
如果對新拿到的不明MOS管,可以通過測定來判斷腳極,只有準(zhǔn)確判定腳的排列,才能正確使用。
①柵極G的測定:用萬用表R&TImes;100檔,測任意兩腳之間正反向電阻,若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω),該兩腳是D、S,第三腳為G。
②漏極D、源極S及類型判定:用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻,正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ,反向電阻(5一∞)X100kΩ。在測反向電阻時,紅表筆不動,黑表筆脫離引腳后,與G碰一下,然后回去再接原引腳,出現(xiàn)兩種情況:
a.若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?(0&TImes;10kΩ),則紅表筆所接為S,黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效,使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω,還可證明該管為N溝道。
b.若讀數(shù)仍為較大值,黑表筆不動,改用紅表筆接觸G,碰一下之后立即回到原腳,此時若讀數(shù)為0Ω,則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極,用紅表筆接觸G極有效,該MOS管為P溝道。
紅左,黑中、右 無窮大
黑左, 紅中、右 無窮大
紅中,黑右 無窮大;
黑中紅右顯示530(左右)。
其實(shí)場效應(yīng)管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G、D、S,有些管相反:S、D、G。我修顯示器、主板、電源都是從上面的方法測絕對沒問題。你不信隨便拆塊板看一看,場效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場效應(yīng)晶體管的檢測
1、判別各電極與管型
用萬用表R×100檔,測量場效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆,這時兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D,而另一引腳為柵極G。再用萬用表R×10k檔測量兩引腳(漏極D與源極S)之間的正、反向電阻值。正常時,正向電阻值為2kΩ左右,反向電阻值大于500kΩ。在測量反向電阻值時,紅表筆所接引腳不動,黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下,然后再去接原引腳,觀察萬用表讀數(shù)的變化情況。若萬用表讀數(shù)由原來較大阻值變?yōu)?,則此紅表筆所接的即是源極S,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為N溝道場效應(yīng)管。若萬用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳,若此時萬用表讀數(shù)由原來阻值較大變?yōu)?,則此時黑表筆接的為源極S,紅表筆接的是漏極D。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效,說明該管為P溝道場效應(yīng)晶體管。
2.判別其好壞
用萬用表R×1k檔或R×10k檔,測量場效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值。正常時,除漏極與源極的正向電阻值較小外,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得某兩極之間的電阻值接近0Ω,則說明該管已擊穿損壞。另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā),N溝道場效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來判斷場應(yīng)管是否損壞。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后,D、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。
1 、用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.
2 、因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來,否則是壞管.
3 、利用表筆對柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時需短路管腳或反充.
4 、大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.
5、 大都封莊為字面對自已時,左柵中漏右源.
做電源設(shè)計(jì),或者做驅(qū)動方面的電路,難免要用到MOS管。MOS管有很多種類,也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用,當(dāng)然就是用它的開關(guān)作用。
無論N型或者P型MOS管,其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),因此在開關(guān)應(yīng)用中,MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。其主要原理如圖:
MOS管的工作原理
我們在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負(fù)載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。
NMOS管的開路漏極電路
在開關(guān)電源應(yīng)用方面,這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如,DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能,這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,因?yàn)轭l率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,MOS管只相當(dāng)于一個導(dǎo)體。因此,我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員最關(guān)心的是MOS的最小傳導(dǎo)損耗。
我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù),MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,對開關(guān)應(yīng)用來說,RDS(ON)也是最重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動)電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),但對于充分的柵極驅(qū)動,RDS(ON)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的MOS管很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致RDS(ON)的增加。MOS管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),其定義為MOS管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。RθJC的最簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。
其發(fā)熱情況有:
1.電路設(shè)計(jì)的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高,主要是有時過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤,對功率判斷有誤,MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
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